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　　安博·体育（中国）有限公司以电子元器件的技术研发、产品生产和销售为主营业务，是国内高可靠领域多层瓷介电容器行业核心生产厂家之一，连续12年荣登中国电子元器件骨干企业榜单，拥有北京市企业技术中心、博士后科研工作站、企业创新研究院、CNAS认可实验室、多个联合实验室以及电磁兼容实验室等多个科研平台。

　　七十六载砥砺行，盛世华章日月新万里河山披锦绣，千秋伟业耀古今 安博·体育（中国）有限公司秉承实业报国的初心与使命与时代同频，与祖国共进  在鸿远研发室里闪耀的，是创新的星火每一次技术突破，都是对品质的追求生产线上跃动的，是奋斗的脉搏每一次产品打磨，都是对匠心的传承市场前沿奔走的，是担当的身影每一次需求响应，都是对承诺的恪守 从制造到智造，从坚守到突破只要是国家所需便是我们心之所向、行之所往！  致敬伟大时代，感恩脚下热土我们愿倾尽全部智慧与汗水为中华民族伟大复兴贡献力量！ 值此共和国76华诞全体鸿远人谨以拳拳赤子之心，祝福祖国：九州安泰，繁荣永固国运恒昌，盛世长虹

　　荣耀时刻！安博·体育（中国）有限公司荣膺2025北京民营企业专精特新百强第四名

　　9月19日下午，由北京市工商联、通州区人民政府联合举办的2025北京民营企业百强发布会于北京国际财富中心紫金厅盛大启幕。此次发布会旨在深入贯彻落实习在民营企业座谈会上的重要讲话精神，助推首都民营经济高质量发展。全国工商联、北京市委统战部、北京市工商联、通州区政府相关领导，以及业界专家、入围企业代表齐聚一堂，共同见证这一标志着北京民营经济高质量发展的重要时刻。会上，备受瞩目的“2025北京民营企业百强”、“2025北京民营企业科技创新百强”、“2025北京民营企业文化产业百强”、“2025北京民营企业专精特新百强”榜单，以及“2025北京民营企业优秀投资案例”、“2025北京民营企业社会责任优秀案例”名单正式发布。安博·体育（中国）有限公司凭借在市场表现、技术创新与运营实力上构筑的综合竞争力，成功荣登“北京民营企业专精特新百强”榜单，并一举斩获第四名，成为首都民营经济高质量发展的典型代表。  公司董事会秘书、财务总监李永强代表公司参加发布会，并上台领受荣誉牌匾。“北京民营企业专精特新百强”是今年新设立的奖项，以北京市“专精特新”企业作为参评范围，以企业2024年度经营情况、产业发展定位、从事行业年限、研发创新能力等为核心指标，同时综合考量企业依法合规经营、诚实守信等方面的表现，根据对核心指标与辅助指标的量化赋值，最终确定入围企业名单。在此次评选中，安博·体育（中国）有限公司凭借在专业领域的深厚沉淀荣登榜单前列，这份荣誉不仅是对企业过往坚守实业发展、坚持科技创新的高度认可，更坚定了企业深耕主业、追求卓越的信心。展望未来，安博·体育（中国）有限公司将继续牢记“实业报国”的初心使命，坚定地向“新”而行、向“高”攀登，在推动行业进步、助力首都经济社会发展的进程中，持续贡献更多力量。

　　一、产品简介硅电容器（Silicon Capacitors）是一种基于半导体制造工艺，融合了MOS工艺与MEMS技术，通过微纳米级结构设计制造的电子元件，它突破了传统MLCC和SLCC的性能边界，为射频微波电路、高性能数字IC、精密模拟电路等对电子元器件性能、稳定性和集成度要求极高的应用场景提供了新的电容解决方案。硅电容按内部结构特点可分为2D硅电容器和3D硅电容器。2D硅电容器是一种以高掺杂硅作为电极和基底，通过化学气相沉积或热氧化在其表面生成介质层的电容器。3D硅电容器是在2D硅电容器基础上，为了突破二维平面限制、追求更高容量密度而发展起来的具备特殊三维结构的产品。通过利用半导体微加工技术（特别是深硅刻蚀等MEMS技术）在硅衬底上制造出三维立体结构，从而增加介质层的有效面积来显著提升单位面积内的电容量。二、产品特点与传统电容器（如MLCC、钽电容）相比，硅电容具有以下显著优点：Ø  超高精度：介质层是通过CVD或热生长形成的，厚度和成分非常均匀，电容值由面积和介质厚度决定，因此电容器的容值偏差可以做到非常小（可达±0.1%或更高）。Ø  高温度稳定性：硅电容产品采用氮化硅或二氧化硅作为介质材料，在-55℃～150℃的温度范围内，温度系数仅为±100ppm/℃。Ø  优异的高频特性：硅电容使用的介质材料和结构特点，使其具有很低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），其在很宽的频率范围内保持容量的稳定性。 Ø  高长期可靠性：硅电容采用半导体薄膜工艺，可保证介质致密性与均匀性，电容器长期可靠性、批次一致性优异。Ø  高容量密度：3D硅电容通过在垂直方向上构建三维结构（如深沟槽等），极大地增加电极的有效面积，单位面积电容量较2D硅电容器可提升10～100倍，实现进一步小型化的同时保留了上述高精度、高稳定性、优异的高频性能和高稳定性的特点。三、应用领域Ø  高端通信设备：5G基站、射频功放、光模块、网络设备等中的射频电路和高速数字处理单元。Ø  汽车电子：电动汽车和智能驾驶系统，如发动机控制单元、车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）、激光雷达（LiDAR） 等对温度和可靠性要求高的场合。Ø  工业与医疗电子：工业自动化控制系统、医疗设备（特别是植入式医疗设备），这些应用对元件的长期稳定性和可靠性有极致要求。Ø  航空航天与国防：用于航空电子系统、飞机发动机控制等对温度稳定性要求较高的电路中。四、产品结构和电极形式公司硅电容分为2D硅电容和3D硅电容，采用在二维平面结构或具有沟槽结构的三维立体结构上沉积介质材料，并覆盖金电极作为引出端，形成可金丝键合的微组装用硅电容或表面贴装（SMT）用硅电容。1、硅电容器内部结构 2、2D硅电容产品电极形式 3、3D硅电容产品电极形式五、产品典型容值范围1、2D硅电容典型容值范围产品系列尺寸（mm）容量（pF）010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅电容典型容值范围产品系列尺寸（mm）容量（pF）000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、质量保证基于硅电容产品特点，公司结合多年电容器开发、供货经验，制定了一整套质量保证方案。包括其介质层的质量评估、产品一致性评估、产品测试分选、寿命评估等。在生产、供货过程中，主要开展的检验项目如下：检验阶段检验项目主要项目产品开发阶段基础性能评估容量、损耗角正切、耐压等结构分析膜层结构、膜层致密性等可靠性评估温度冲击、稳态湿热、耐焊接热、静电放电、高温寿命生产过程结构分析膜层结构电性能测试分选容量、损耗角正切、耐压等外观测试分选表面缺陷，边缘缺陷等七、产品安装方式硅电容适配打线和SMT贴片安装工艺，可与各类半导体器件良好兼容，安装示意图如下。八、小结硅电容器并非要取代传统的MLCC，而是作为一种高性能、高稳定性电容器的补充技术，在特定的高端应用领域，尤其是需要与半导体芯片集成的场景中，发挥着重要作用。公司深耕电容领域数十年，对电容产品有着深入的理解，公司拥有完善的电容制造以及可靠性检验设备和资质。公司基于对介电材料的认识和电容器应用的积累，开发了系列化的硅电容产品，为客户在高频、高稳定性电路领域应用提供更优的产品解决方案。